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器件3D模型
¥ 3.67
STB40NF20 数据手册 - ST Microelectronics(意法半导体)
制造商:
ST Microelectronics(意法半导体)
分类:
MOS管
封装:
TO-263-3
描述:
STMICROELECTRONICS STB40NF20 晶体管, MOSFET, N沟道, 40 A, 200 V, 45 mohm, 10 V, 3 V
Pictures:
3D模型
符号图
焊盘图
引脚图
产品图
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STB40NF20 数据手册 (17 页)
封装尺寸
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STB40NF20 技术参数、封装参数
类型
描述
安装方式
Surface Mount
引脚数
3 Pin
额定电压(DC)
200 V
额定电流
40.0 A
封装
TO-263-3
针脚数
3 Position
漏源极电阻
0.045 Ω
极性
N-Channel
功耗
160 W
阈值电压
3 V
输入电容
2.50 nF
栅电荷
75.0 nC
漏源极电压(Vds)
200 V
漏源击穿电压
200 V
连续漏极电流(Ids)
25.0 A, 40.0 A
上升时间
44 ns
输入电容值(Ciss)
2500pF @25V(Vds)
额定功率(Max)
160 W
下降时间
22 ns
工作温度(Max)
150 ℃
工作温度(Min)
-55 ℃
耗散功率(Max)
160W (Tc)
查看数据手册 >
STB40NF20 外形尺寸、物理参数、其它
类型
描述
产品生命周期
Active
包装方式
Tape & Reel (TR)
长度
10.4 mm
宽度
9.35 mm
高度
4.6 mm
工作温度
-55℃ ~ 150℃ (TJ)
查看数据手册 >
STB40NF20 符合标准
STB40NF20 海关信息
STB40NF20 概述
●
N 通道 STripFET™,STMicroelectronics
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STMICROELECTRONICS STB40NF10LT4 晶体管, MOSFET, N沟道, 40 A, 100 V, 0.028 ohm, 10 V, 1.7 V
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STMICROELECTRONICS STB40NF20 晶体管, MOSFET, N沟道, 40 A, 200 V, 45 mohm, 10 V, 3 V
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N沟道150V - 0.045Î © - 40A - D2PAK MESH OVERLAYâ ?? ¢功率MOSFET N-channel 150V - 0.045Ω - 40A - D2PAK MESH OVERLAY⢠Power MOSFET
STB40
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