￥ 0.438

STB4NK60ZT4 数据手册 - ST Microelectronics（意法半导体）

制造商:

ST Microelectronics（意法半导体）

分类:

MOS管

封装:

TO-263-3

描述:

STMICROELECTRONICS STB4NK60ZT4 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 2 A, 600 V, 1.76 ohm, 10 V, 3.75 V

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

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STB4NK60ZT4 数据手册 (16 页)

原理图在1 页

STB4NK60ZT4 数据手册 (16 页)

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STB4NK60ZT4 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Surface Mount

引脚数

3 Pin

额定电压(DC)

600 V

额定电流

4.00 A

封装

TO-263-3

针脚数

3 Position

漏源极电阻

1.76 Ω

极性

N-Channel

功耗

70 W

阈值电压

3.75 V

漏源极电压(Vds)

600 V

漏源击穿电压

600 V

栅源击穿电压

±30.0 V

连续漏极电流(Ids)

2.00 A

上升时间

9.5 ns

输入电容值(Ciss)

510pF @25V(Vds)

额定功率(Max)

70 W

下降时间

16.5 ns

工作温度(Max)

150 ℃

工作温度(Min)

-55 ℃

耗散功率(Max)

70000 mW

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STB4NK60ZT4 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Active

包装方式

Tape & Reel (TR)

长度

10.4 mm

宽度

9.35 mm

高度

4.6 mm

工作温度

150℃ (TJ)

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STB4NK60ZT4 符合标准

STB4NK60ZT4 海关信息

STB4NK60ZT4 概述