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STB55NF06LT4 数据手册 - ST Microelectronics（意法半导体）

制造商:

ST Microelectronics（意法半导体）

分类:

MOS管

封装:

TO-263-3

描述:

STMICROELECTRONICS STB55NF06LT4 晶体管, MOSFET, N沟道, 55 A, 30 V, 0.014 ohm, 16 V, 1.7 V

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

PDF文件:

STB55NF06LT4 数据手册 (15 页)

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STB55NF06LT4 数据手册 (15 页)

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STB55NF06LT4 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Surface Mount

引脚数

3 Pin

额定电压(DC)

60.0 V

额定电流

55.0 A

封装

TO-263-3

额定功率

95 W

通道数

1 Channel

针脚数

3 Position

漏源极电阻

0.014 Ω

极性

N-Channel

功耗

95 W

阈值电压

1.7 V

漏源极电压(Vds)

60 V

漏源击穿电压

60.0 V

栅源击穿电压

±16.0 V

连续漏极电流(Ids)

220 A

上升时间

100 ns

输入电容值(Ciss)

1700pF @25V(Vds)

额定功率(Max)

95 W

下降时间

20 ns

工作温度(Max)

175 ℃

工作温度(Min)

-55 ℃

耗散功率(Max)

95W (Tc)

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STB55NF06LT4 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Active

包装方式

Tape & Reel (TR)

长度

10.75 mm

宽度

10.4 mm

高度

4.6 mm

工作温度

-55℃ ~ 175℃ (TJ)

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STB55NF06LT4 符合标准

STB55NF06LT4 概述

STB55NF06LT4 数据手册

ST Microelectronics（意法半导体）

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