STB55NF06T4

￥ 0.951

STB55NF06T4 数据手册 - ST Microelectronics（意法半导体）

制造商:

ST Microelectronics（意法半导体）

分类:

MOS管

封装:

TO-263-3

描述:

N 通道 STripFET™ II，STMicroelectronicsSTripFET™ MOSFET，带宽击穿电压范围，可提供超低栅极电话和低接通电阻。### MOSFET 晶体管，STMicroelectronics

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

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STB55NF06T4 数据手册 (18 页)

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STB55NF06T4 数据手册 (18 页)

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STB55NF06T4 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Surface Mount

引脚数

3 Pin

额定电压(DC)

60.0 V

额定电流

50.0 A

封装

TO-263-3

通道数

1 Channel

针脚数

3 Position

漏源极电阻

0.015 Ω

极性

N-Channel

功耗

110 W

阈值电压

3 V

漏源极电压(Vds)

60 V

漏源击穿电压

60.0 V

栅源击穿电压

±20.0 V

连续漏极电流(Ids)

50.0 A

上升时间

50 ns

输入电容值(Ciss)

1300pF @25V(Vds)

额定功率(Max)

110 W

下降时间

15 ns

工作温度(Max)

175 ℃

工作温度(Min)

-55 ℃

耗散功率(Max)

110W (Tc)

查看数据手册 >

STB55NF06T4 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Active

包装方式

Tape & Reel (TR)

长度

10.4 mm

宽度

9.35 mm

高度

4.6 mm

工作温度

-55℃ ~ 175℃ (TJ)

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STB55NF06T4 符合标准

STB55NF06T4 海关信息

STB55NF06T4 概述

STB55NF06T4 数据手册

STB55NF06T4 数据手册

ST Microelectronics（意法半导体）

18 页 / 0.52 MByte

STB55NF06T4 其他数据使用手册

ST Microelectronics（意法半导体）

20 页 / 0.75 MByte

STB55NF06T4 产品封装文件

ST Microelectronics（意法半导体）

19 页 / 0.77 MByte

STB55NF06T4 产品修订记录

ST Microelectronics（意法半导体）

5 页 / 0.04 MByte

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STB55NF06LT4 数据手册

ST Microelectronics（意法半导体）

STMICROELECTRONICS STB55NF06LT4 晶体管, MOSFET, N沟道, 55 A, 30 V, 0.014 ohm, 16 V, 1.7 V

STB55NF06T4 数据手册

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N沟道60V - 0.014ohm - 55A TO- 220 / FP / D2PAK / I2PAK STripFET⑩II功率MOSFET N-CHANNEL 60V - 0.014ohm - 55A TO-220/FP/D2PAK/I2PAK STripFET⑩II POWER MOSFET

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N沟道60V - 0.015ヘ - 50A - D2PAK / I2PAK / TO- 220 / TO- 220FP STripFET⑩ II功率MOSFET N-channel 60V - 0.015ヘ - 50A - D2PAK/I2PAK/TO-220/TO-220FP STripFET⑩ II Power MOSFET

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