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器件3D模型
￥ 0.951
STB55NF06T4 数据手册 - ST Microelectronics（意法半导体）
制造商:
ST Microelectronics（意法半导体）
分类:
MOS管
封装:
TO-263-3
描述:
N 通道 STripFET™ II，STMicroelectronicsSTripFET™ MOSFET，带宽击穿电压范围，可提供超低栅极电话和低接通电阻。### MOSFET 晶体管，STMicroelectronics
Pictures:
3D模型
符号图
焊盘图
引脚图
产品图
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STB55NF06T4 数据手册 (18 页)
封装尺寸
在
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STB55NF06T4 技术参数、封装参数
类型
描述
安装方式
Surface Mount
引脚数
3 Pin
额定电压(DC)
60.0 V
额定电流
50.0 A
封装
TO-263-3
通道数
1 Channel
针脚数
3 Position
漏源极电阻
0.015 Ω
极性
N-Channel
功耗
110 W
阈值电压
3 V
漏源极电压(Vds)
60 V
漏源击穿电压
60.0 V
栅源击穿电压
±20.0 V
连续漏极电流(Ids)
50.0 A
上升时间
50 ns
输入电容值(Ciss)
1300pF @25V(Vds)
额定功率(Max)
110 W
下降时间
15 ns
工作温度(Max)
175 ℃
工作温度(Min)
-55 ℃
耗散功率(Max)
110W (Tc)
查看数据手册 >
STB55NF06T4 外形尺寸、物理参数、其它
类型
描述
产品生命周期
Active
包装方式
Tape & Reel (TR)
长度
10.4 mm
宽度
9.35 mm
高度
4.6 mm
工作温度
-55℃ ~ 175℃ (TJ)
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STB55NF06T4 符合标准
STB55NF06T4 海关信息
STB55NF06T4 概述
●
N 通道 STripFET™ II，STMicroelectronics
●
STripFET™ MOSFET，带宽击穿电压范围，可提供超低栅极电话和低接通电阻。
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ST Microelectronics（意法半导体）
N 通道 STripFET™ II，STMicroelectronicsSTripFET™ MOSFET，带宽击穿电压范围，可提供超低栅极电话和低接通电阻。### MOSFET 晶体管，STMicroelectronics
STB55NF06
LT4
数据手册
ST Microelectronics（意法半导体）
STMICROELECTRONICS STB55NF06LT4 晶体管, MOSFET, N沟道, 55 A, 30 V, 0.014 ohm, 16 V, 1.7 V
STB55NF06
T4
数据手册
ST Microelectronics（意法半导体）
N 通道 STripFET™ II，STMicroelectronicsSTripFET™ MOSFET，带宽击穿电压范围，可提供超低栅极电话和低接通电阻。### MOSFET 晶体管，STMicroelectronics
STB55NF06
L
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ST Microelectronics（意法半导体）
N 通道 STripFET™ II，STMicroelectronicsSTripFET™ MOSFET，带宽击穿电压范围，可提供超低栅极电话和低接通电阻。### MOSFET 晶体管，STMicroelectronics
STB55NF06
L-1
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