￥ 1.782

STB8N65M5 数据手册 - ST Microelectronics（意法半导体）

制造商:

ST Microelectronics（意法半导体）

分类:

MOS管

封装:

TO-263-3

描述:

STMICROELECTRONICS STB8N65M5 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 7 A, 650 V, 0.56 ohm, 10 V, 4 V

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

PDF文件:

STB8N65M5 数据手册 (25 页)

封装尺寸在10 页 11 页 12 页 13 页 14 页 15 页 16 页 17 页 18 页 19 页 20 页

STB8N65M5 数据手册 (25 页)

查看文档

或点击图片查看大图

STB8N65M5 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Surface Mount

引脚数

3 Pin

封装

TO-263-3

针脚数

3 Position

漏源极电阻

0.56 Ω

极性

N-Channel

功耗

70 W

阈值电压

4 V

漏源极电压(Vds)

650 V

连续漏极电流(Ids)

上升时间

14 ns

输入电容值(Ciss)

690pF @100V(Vds)

额定功率(Max)

70 W

下降时间

11 ns

工作温度(Max)

150 ℃

工作温度(Min)

-55 ℃

耗散功率(Max)

70W (Tc)

查看数据手册 >

STB8N65M5 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Active

包装方式

Tape & Reel (TR)

材质

Silicon

长度

10.75 mm

宽度

10.4 mm

高度

4.6 mm

工作温度

150℃ (TJ)

查看数据手册 >

STB8N65M5 符合标准

STB8N65M5 海关信息

STB8N65M5 概述

STB8N65M5 数据手册

ST Microelectronics（意法半导体）

25 页 / 1.26 MByte

STB8N65M5 其他数据使用手册

ST Microelectronics（意法半导体）

3 页 / 0.31 MByte

STB8N65M5 产品封装文件

ST Microelectronics（意法半导体）

26 页 / 1.42 MByte

STB8N65M5 产品修订记录

ST Microelectronics（意法半导体）

10 页 / 0.75 MByte

STB8N65 数据手册

STB8N65M5 数据手册

ST Microelectronics（意法半导体）

STMICROELECTRONICS STB8N65M5 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 7 A, 650 V, 0.56 ohm, 10 V, 4 V

器件 Datasheet 文档搜索

AiEMA 数据库涵盖高达 72,405,303 个元件的数据手册，每天更新 5,000 多个 PDF 文件

关联型号

热门型号