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STD100N10F7 数据手册 - ST Microelectronics（意法半导体）

制造商:

ST Microelectronics（意法半导体）

分类:

MOS管

封装:

TO-252-3

描述:

MOSFET 晶体管，STMicroelectronics

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

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STD100N10F7 数据手册 (23 页)

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STD100N10F7 数据手册 (23 页)

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STD100N10F7 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Surface Mount

引脚数

3 Pin

封装

TO-252-3

针脚数

3 Position

漏源极电阻

0.0068 Ω

极性

N-Channel

功耗

120 W

阈值电压

4.5 V

输入电容

4369 pF

漏源极电压(Vds)

100 V

连续漏极电流(Ids)

80A

上升时间

40 ns

输入电容值(Ciss)

4369pF @50V(Vds)

额定功率(Max)

120 W

下降时间

15 ns

工作温度(Max)

175 ℃

工作温度(Min)

-55 ℃

耗散功率(Max)

120W (Tc)

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STD100N10F7 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Active

包装方式

Tape & Reel (TR)

长度

6.6 mm

宽度

6.2 mm

高度

2.4 mm

工作温度

-55℃ ~ 175℃ (TJ)

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STD100N10F7 符合标准

STD100N10F7 海关信息

STD100N10F7 概述

STD100N10F7 数据手册

ST Microelectronics（意法半导体）

23 页 / 1.62 MByte

STD100N10F7 产品封装文件

ST Microelectronics（意法半导体）

21 页 / 1.48 MByte

STD100N10F7 产品修订记录

ST Microelectronics（意法半导体）

3 页 / 0.03 MByte

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