￥ 1.242

STD100N3LF3 数据手册 - ST Microelectronics（意法半导体）

制造商:

ST Microelectronics（意法半导体）

分类:

MOS管

封装:

TO-252-3

描述:

N沟道30 V ， 0.0045 Ω ， 80 A， DPAK平面的STripFET ？二功率MOSFET N-channel 30 V, 0.0045 Ω, 80 A, DPAK planar STripFET? II Power MOSFET

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

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STD100N3LF3 数据手册 (14 页)

封装尺寸在10 页 11 页

STD100N3LF3 数据手册 (14 页)

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STD100N3LF3 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Surface Mount

引脚数

3 Pin

封装

TO-252-3

通道数

1 Channel

极性

N-CH

功耗

110 W

漏源极电压(Vds)

30 V

连续漏极电流(Ids)

80A

上升时间

205 ns

输入电容值(Ciss)

2060pF @25V(Vds)

额定功率(Max)

110 W

下降时间

35 ns

工作温度(Max)

175 ℃

工作温度(Min)

-55 ℃

耗散功率(Max)

110W (Tc)

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STD100N3LF3 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Active

包装方式

Tape & Reel (TR)

宽度

6.2 mm

工作温度

-55℃ ~ 175℃ (TJ)

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STD100N3LF3 符合标准

STD100N3LF3 数据手册

ST Microelectronics（意法半导体）

14 页 / 0.32 MByte

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STD100N3 数据手册

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N沟道30 V ， 0.0045 Ω ， 80 A， DPAK平面的STripFET ？二功率MOSFET N-channel 30 V, 0.0045 Ω, 80 A, DPAK planar STripFET? II Power MOSFET

STD100N3LF3_09 数据手册

ST Microelectronics（意法半导体）

N沟道30 V ， 0.0045 Ω ， 80 A， DPAK平面的STripFET ？二功率MOSFET N-channel 30 V, 0.0045 Ω, 80 A, DPAK planar STripFET? II Power MOSFET

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