STD10NF10T4

￥ 0.235

STD10NF10T4 数据手册 - ST Microelectronics（意法半导体）

制造商:

ST Microelectronics（意法半导体）

分类:

MOS管

封装:

TO-252-3

描述:

STMICROELECTRONICS STD10NF10T4 晶体管, MOSFET, N沟道, 13 A, 100 V, 130 mohm, 10 V, 3 V

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

PDF文件:

STD10NF10T4 数据手册 (14 页)

封装尺寸在9 页 10 页 11 页

STD10NF10T4 数据手册 (14 页)

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STD10NF10T4 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Surface Mount

引脚数

3 Pin

额定电压(DC)

100 V

额定电流

13.0 A

封装

TO-252-3

通道数

1 Channel

针脚数

3 Position

漏源极电阻

0.13 Ω

极性

N-Channel

功耗

50 W

阈值电压

3 V

漏源极电压(Vds)

100 V

漏源击穿电压

100 V

栅源击穿电压

±20.0 V

连续漏极电流(Ids)

13.0 A

上升时间

25 ns

输入电容值(Ciss)

460pF @25V(Vds)

额定功率(Max)

50 W

下降时间

8 ns

工作温度(Max)

175 ℃

工作温度(Min)

-55 ℃

耗散功率(Max)

50W (Tc)

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STD10NF10T4 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Active

包装方式

Tape & Reel (TR)

长度

6.6 mm

宽度

6.2 mm

高度

2.4 mm

工作温度

-55℃ ~ 175℃ (TJ)

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STD10NF10T4 符合标准

STD10NF10T4 海关信息

STD10NF10T4 概述

STD10NF10T4 数据手册

STD10NF10T4 数据手册

ST Microelectronics（意法半导体）

14 页 / 0.44 MByte

STD10NF10T4 其他数据使用手册

ST Microelectronics（意法半导体）

28 页 / 0.56 MByte

STD10NF10T4 产品封装文件

ST Microelectronics（意法半导体）

17 页 / 0.82 MByte

STD10NF10T4 产品修订记录

ST Microelectronics（意法半导体）

8 页 / 0.21 MByte

STD10NF10T4 其他参考文件

ST Microelectronics（意法半导体）

1 页 / 0.13 MByte

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N 通道 STripFET™，STMicroelectronics### MOSFET 晶体管，STMicroelectronics

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N沟道100V - 0.115欧姆 - 13A IPAK / DPAK低栅电荷STripFET⑩ II功率MOSFET N-CHANNEL 100V - 0.115 ohm - 13A IPAK/DPAK LOW GATE CHARGE STripFET⑩ II POWER MOSFET

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