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STD10P10F6 数据手册 - ST Microelectronics（意法半导体）

制造商:

ST Microelectronics（意法半导体）

分类:

MOS管

封装:

TO-252-3

描述:

-100V,-10A,180mΩ,P沟道功率MOSFET

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

STD10P10F6 数据手册 (15 页)

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STD10P10F6 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Surface Mount

引脚数

3 Pin

封装

TO-252-3

通道数

1 Channel

漏源极电阻

180 mΩ

功耗

40 W

阈值电压

2 V

输入电容

864 pF

漏源极电压(Vds)

100 V

漏源击穿电压

100 V

上升时间

4.8 ns

输入电容值(Ciss)

864pF @80V(Vds)

下降时间

4.5 ns

工作温度(Max)

175 ℃

工作温度(Min)

-55 ℃

耗散功率(Max)

40W (Tc)

STD10P10F6 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Active

包装方式

Tape & Reel (TR)

长度

6.6 mm

工作温度

175℃ (TJ)

STD10P10F6 符合标准

STD10P10F6 海关信息

STD10P10F6 数据手册

STD10P10F6 产品封装文件

ST Microelectronics（意法半导体）

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-100V,-10A,180mΩ,P沟道功率MOSFET

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