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STD12NF06L-1 数据手册 - ST Microelectronics（意法半导体）

制造商:

ST Microelectronics（意法半导体）

分类:

MOS管

封装:

TO-251-3

描述:

N沟道60V - 0.08ヘ - 12A - DPAK - IPAK STripFET⑩ II功率MOSFET N-channel 60V - 0.08з - 12A - DPAK - IPAK STripFET⑩ II Power MOSFET

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

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STD12NF06L-1 数据手册 (14 页)

封装尺寸在9 页 10 页 11 页

STD12NF06L-1 数据手册 (14 页)

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STD12NF06L-1 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Through Hole

引脚数

3 Pin

额定电压(DC)

60.0 V

额定电流

12.0 A

封装

TO-251-3

针脚数

3 Position

漏源极电阻

0.06 Ω

极性

N-Channel

功耗

42.8 W

阈值电压

2 V

漏源极电压(Vds)

60 V

漏源击穿电压

60.0 V

栅源击穿电压

±16.0 V

连续漏极电流(Ids)

12.0 A

上升时间

35 ns

输入电容值(Ciss)

350pF @25V(Vds)

额定功率(Max)

30 W

下降时间

13 ns

工作温度(Max)

175 ℃

工作温度(Min)

-55 ℃

耗散功率(Max)

42.8W (Tc)

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STD12NF06L-1 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Active

包装方式

Tube

高度

6.2 mm

工作温度

-55℃ ~ 175℃ (TJ)

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STD12NF06L-1 符合标准

STD12NF06L-1 数据手册

ST Microelectronics（意法半导体）

14 页 / 0.31 MByte

STD12NF06L-1 其他数据使用手册

ST Microelectronics（意法半导体）

17 页 / 0.8 MByte

STD12NF06L-1 产品封装文件

ST Microelectronics（意法半导体）

16 页 / 0.71 MByte

STD12NF06L-1 产品修订记录

ST Microelectronics（意法半导体）

8 页 / 0.21 MByte

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N沟道60 V ， 0.08Ω ， 12 A， DPAK ， IPAK的STripFET ？二功率MOSFET N-channel 60 V, 0.08Ω, 12 A, DPAK, IPAK STripFET? II Power MOSFET

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