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STD12NF06LT4
0.515
STD12NF06LT4 数据手册 (14 页)
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STD12NF06LT4 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Surface Mount
引脚数
3 Pin
额定电压(DC)
60.0 V
额定电流
12.0 A
封装
TO-252-3
针脚数
3 Position
漏源极电阻
0.08 Ω
极性
N-Channel
功耗
30 W
阈值电压
3 V
输入电容
350 pF
漏源极电压(Vds)
60 V
漏源击穿电压
60.0 V
栅源击穿电压
±16.0 V
连续漏极电流(Ids)
12.0 A
上升时间
35 ns
输入电容值(Ciss)
350pF @25V(Vds)
额定功率(Max)
30 W
下降时间
13 ns
工作温度(Max)
175 ℃
工作温度(Min)
-55 ℃
耗散功率(Max)
42.8W (Tc)

STD12NF06LT4 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Active
包装方式
Tape & Reel (TR)
长度
6.6 mm
宽度
6.2 mm
高度
2.4 mm
工作温度
-55℃ ~ 175℃ (TJ)

STD12NF06LT4 数据手册

ST Microelectronics(意法半导体)
14 页 / 0.3 MByte
ST Microelectronics(意法半导体)
53 页 / 1.46 MByte
ST Microelectronics(意法半导体)
17 页 / 0.8 MByte
ST Microelectronics(意法半导体)
16 页 / 0.82 MByte
ST Microelectronics(意法半导体)
5 页 / 0.04 MByte
ST Microelectronics(意法半导体)
1 页 / 0.13 MByte

STD12NF06 数据手册

ST Microelectronics(意法半导体)
N沟道60V - 0.08欧姆 - 12A IPAK / DPAK STripFET⑩ II功率MOSFET N-CHANNEL 60V - 0.08 ohm - 12A IPAK/DPAK STripFET⑩ II POWER MOSFET
ST Microelectronics(意法半导体)
STMICROELECTRONICS  STD12NF06LT4  晶体管, MOSFET, N沟道, 12 A, 60 V, 80 mohm, 10 V, 3 V
ST Microelectronics(意法半导体)
STMICROELECTRONICS  STD12NF06T4  晶体管, MOSFET, N沟道, 12 A, 60 V, 0.08 ohm, 10 V, 3 V
ST Microelectronics(意法半导体)
N沟道60V - 0.08ヘ - 12A - DPAK - IPAK STripFET⑩ II功率MOSFET N-channel 60V - 0.08з - 12A - DPAK - IPAK STripFET⑩ II Power MOSFET
ST Microelectronics(意法半导体)
N沟道60V - 0.08ヘ - 12A - DPAK - IPAK STripFET⑩ II功率MOSFET N-channel 60V - 0.08ヘ - 12A - DPAK - IPAK STripFET⑩ II Power MOSFET
ST Microelectronics(意法半导体)
STMICROELECTRONICS  STD12NF06L  晶体管, MOSFET, N沟道, 12 A, 60 V, 80 mohm, 10 V, 2 V
ST Microelectronics(意法半导体)
N沟道60 V , 0.08Ω , 12 A, DPAK , IPAK的STripFET ?二功率MOSFET N-channel 60 V, 0.08Ω, 12 A, DPAK, IPAK STripFET? II Power MOSFET
ST Microelectronics(意法半导体)
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