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STD13NM60N 数据手册 - ST Microelectronics（意法半导体）

制造商:

ST Microelectronics（意法半导体）

分类:

MOS管

封装:

TO-252-3

描述:

STMICROELECTRONICS STD13NM60N 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 11 A, 600 V, 0.28 ohm, 10 V, 3 V

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

PDF文件:

STD13NM60N 数据手册 (30 页)

封装尺寸在11 页 12 页 13 页 14 页 15 页 16 页 17 页 18 页 19 页 20 页 21 页 22 页 23 页

STD13NM60N 数据手册 (30 页)

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STD13NM60N 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Surface Mount

引脚数

3 Pin

封装

TO-252-3

针脚数

3 Position

漏源极电阻

0.28 Ω

极性

N-Channel

功耗

90 W

阈值电压

3 V

漏源极电压(Vds)

600 V

连续漏极电流(Ids)

5.50 A

上升时间

8 ns

输入电容值(Ciss)

790pF @50V(Vds)

额定功率(Max)

90 W

下降时间

10 ns

工作温度(Max)

150 ℃

工作温度(Min)

-55 ℃

耗散功率(Max)

90W (Tc)

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STD13NM60N 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Active

包装方式

Tape & Reel (TR)

长度

6.6 mm

宽度

6.2 mm

高度

2.4 mm

工作温度

150℃ (TJ)

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STD13NM60N 符合标准

STD13NM60N 海关信息

STD13NM60N 概述

STD13NM60N 数据手册

ST Microelectronics（意法半导体）

30 页 / 1.38 MByte

STD13NM60N 其他数据使用手册

ST Microelectronics（意法半导体）

10 页 / 0.47 MByte

STD13NM60N 产品封装文件

ST Microelectronics（意法半导体）

24 页 / 1.12 MByte

STD13NM60N 产品修订记录

ST Microelectronics（意法半导体）

5 页 / 0.04 MByte

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