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STD13NM60ND 数据手册 - ST Microelectronics（意法半导体）

制造商:

ST Microelectronics（意法半导体）

分类:

MOS管

封装:

TO-252-3

描述:

N 通道 FDmesh™ 功率 MOSFET，STMicroelectronics### MOSFET 晶体管，STMicroelectronics

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

STD13NM60ND 数据手册 (21 页)

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STD13NM60ND 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Surface Mount

引脚数

3 Pin

封装

TO-252-3

针脚数

3 Position

漏源极电阻

0.32 Ω

极性

N-CH

功耗

109 W

阈值电压

4 V

漏源极电压(Vds)

600 V

连续漏极电流(Ids)

11A

上升时间

10 ns

输入电容值(Ciss)

845pF @50V(Vds)

下降时间

15.4 ns

工作温度(Max)

150 ℃

工作温度(Min)

-55 ℃

耗散功率(Max)

109W (Tc)

STD13NM60ND 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Active

包装方式

Tape & Reel (TR)

长度

6.6 mm

宽度

6.2 mm

高度

2.4 mm

工作温度

150℃ (TJ)

STD13NM60ND 符合标准

STD13NM60ND 概述

STD13NM60ND 数据手册

STD13NM60ND 产品封装文件

ST Microelectronics（意法半导体）

21 页 / 1.5 MByte

STD13NM60 数据手册

STD13NM60N 数据手册

ST Microelectronics（意法半导体）

STMICROELECTRONICS STD13NM60N 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 11 A, 600 V, 0.28 ohm, 10 V, 3 V

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N 通道 FDmesh™ 功率 MOSFET，STMicroelectronics### MOSFET 晶体管，STMicroelectronics

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