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STD14NM50N 数据手册 - ST Microelectronics（意法半导体）

制造商:

ST Microelectronics（意法半导体）

分类:

MOS管

封装:

TO-252-3

描述:

STMICROELECTRONICS STD14NM50N 晶体管, MOSFET, N沟道, 12 A, 500 V, 0.28 ohm, 10 V, 3 V

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

PDF文件:

STD14NM50N 数据手册 (22 页)

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STD14NM50N 数据手册 (22 页)

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STD14NM50N 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Surface Mount

引脚数

3 Pin

封装

TO-252-3

针脚数

3 Position

漏源极电阻

0.28 Ω

极性

N-Channel

功耗

90 W

阈值电压

3 V

漏源极电压(Vds)

500 V

连续漏极电流(Ids)

12A

上升时间

16 ns

输入电容值(Ciss)

816pF @50V(Vds)

额定功率(Max)

90 W

下降时间

22 ns

工作温度(Max)

150 ℃

工作温度(Min)

-55 ℃

耗散功率(Max)

90W (Tc)

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STD14NM50N 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Active

包装方式

Tape & Reel (TR)

长度

6.6 mm

宽度

6.2 mm

高度

2.4 mm

工作温度

150℃ (TJ)

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STD14NM50N 符合标准

STD14NM50N 概述

STD14NM50N 数据手册

ST Microelectronics（意法半导体）

22 页 / 1.25 MByte

STD14NM50N 产品封装文件

ST Microelectronics（意法半导体）

26 页 / 1.27 MByte

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STD14NM50N 数据手册

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STMICROELECTRONICS STD14NM50N 晶体管, MOSFET, N沟道, 12 A, 500 V, 0.28 ohm, 10 V, 3 V

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ST Microelectronics（意法半导体）

N沟道 500V 12A

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