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器件3D模型
¥ 0.975
STD155N3LH6 数据手册 - ST Microelectronics(意法半导体)
制造商:
ST Microelectronics(意法半导体)
分类:
MOS管
封装:
TO-252-3
描述:
N 通道 STripFET™ DeepGate™,STMicroelectronicsSTripFET™ MOSFET,带宽击穿电压范围,可提供超低栅极电话和低接通电阻。### MOSFET 晶体管,STMicroelectronics
Pictures:
3D模型
符号图
焊盘图
引脚图
产品图
PDF文件:
STD155N3LH6 数据手册 (18 页)
封装尺寸
在
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STD155N3LH6 技术参数、封装参数
类型
描述
安装方式
Surface Mount
引脚数
3 Pin
封装
TO-252-3
通道数
1 Channel
漏源极电阻
3 mΩ
极性
N-Channel
功耗
110 W
输入电容
3800 pF
漏源极电压(Vds)
30 V
漏源击穿电压
30 V
上升时间
85 ns
输入电容值(Ciss)
3800pF @25V(Vds)
额定功率(Max)
110 W
下降时间
40 ns
工作温度(Max)
175 ℃
工作温度(Min)
-55 ℃
耗散功率(Max)
110W (Tc)
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STD155N3LH6 外形尺寸、物理参数、其它
类型
描述
产品生命周期
Active
包装方式
Tape & Reel (TR)
长度
6.6 mm
宽度
6.2 mm
高度
2.4 mm
工作温度
-55℃ ~ 175℃ (TJ)
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STD155N3LH6 符合标准
STD155N3LH6 概述
●
N 通道 STripFET™ DeepGate™,STMicroelectronics
●
STripFET™ MOSFET,带宽击穿电压范围,可提供超低栅极电话和低接通电阻。
●
### MOSFET 晶体管,STMicroelectronics
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