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STD16NF06LT4
0.415
STD16NF06LT4 数据手册 (14 页)
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STD16NF06LT4 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Surface Mount
引脚数
3 Pin
额定电压(DC)
60.0 V
额定电流
24.0 A
封装
TO-252-3
通道数
1 Channel
漏源极电阻
0.07 Ω
极性
N-Channel
功耗
40 W
阈值电压
1 V
漏源极电压(Vds)
60 V
漏源击穿电压
60.0 V
栅源击穿电压
±18.0 V
连续漏极电流(Ids)
24.0 A
上升时间
30 ns
输入电容值(Ciss)
370pF @25V(Vds)
额定功率(Max)
40 W
下降时间
6 ns
工作温度(Max)
175 ℃
工作温度(Min)
-55 ℃
耗散功率(Max)
40W (Tc)

STD16NF06LT4 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Active
包装方式
Tape & Reel (TR)
长度
6.6 mm
宽度
6.2 mm
高度
2.4 mm
工作温度
-55℃ ~ 175℃ (TJ)

STD16NF06LT4 数据手册

ST Microelectronics(意法半导体)
14 页 / 0.33 MByte
ST Microelectronics(意法半导体)
15 页 / 0.32 MByte
ST Microelectronics(意法半导体)
1 页 / 0.13 MByte

STD16NF06 数据手册

ST Microelectronics(意法半导体)
N沟道60V - 0.060Î © - 16A - DPAK STripFETâ ?? ¢ II功率MOSFET N-Channel 60V - 0.060Ω - 16A - DPAK STripFET™ II Power MOSFET
ST Microelectronics(意法半导体)
N 通道 STripFET™,STMicroelectronics### MOSFET 晶体管,STMicroelectronics
ST Microelectronics(意法半导体)
STMICROELECTRONICS  STD16NF06T4  晶体管, MOSFET, N沟道, 16 A, 60 V, 0.06 ohm, 10 V, 2 V
ST Microelectronics(意法半导体)
N沟道60V - 0.060Ω - 24A - DPAK / IPAK的STripFET ?二功率MOSFET N-channel 60V - 0.060Ω - 24A - DPAK/IPAK STripFET? II Power MOSFET
ST Microelectronics(意法半导体)
N沟道60V - 0.060Ω - 24A - DPAK / IPAK的STripFET ?二功率MOSFET N-channel 60V - 0.060Ω - 24A - DPAK/IPAK STripFET? II Power MOSFET
ST Microelectronics(意法半导体)
N沟道60V - 0.060Ω - 24A - DPAK / IPAK的STripFET ?二功率MOSFET N-channel 60V - 0.060Ω - 24A - DPAK/IPAK STripFET? II Power MOSFET
ST Microelectronics(意法半导体)
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