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STD180N4F6 数据手册 - ST Microelectronics（意法半导体）

制造商:

ST Microelectronics（意法半导体）

分类:

MOS管

封装:

TO-252-3

描述:

N-沟道 40 V 2.8 mOhm 表面贴装 STripFET™ F6 功率 Mosfet - DPAK-3

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

STD180N4F6 数据手册 (60 页)

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STD180N4F6 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Surface Mount

引脚数

3 Pin

封装

TO-252-3

功耗

130 W

漏源极电压(Vds)

40 V

上升时间

150 ns

输入电容值(Ciss)

7735pF @25V(Vds)

下降时间

57 ns

工作温度(Max)

175 ℃

工作温度(Min)

-55 ℃

耗散功率(Max)

130W (Tc)

STD180N4F6 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Active

包装方式

Tape & Reel (TR)

工作温度

-55℃ ~ 175℃ (TJ)

STD180N4F6 符合标准

STD180N4F6 数据手册

STD180N4F6 产品设计参考手册

ST Microelectronics（意法半导体）

60 页 / 4.35 MByte

STD180N4F6 其他数据使用手册

ST Microelectronics（意法半导体）

19 页 / 1.06 MByte

STD180N4F6 开发手册

ST Microelectronics（意法半导体）

20 页 / 1.45 MByte

STD180N4F6 产品封装文件

ST Microelectronics（意法半导体）

16 页 / 0.75 MByte

STD180N4 数据手册

STD180N4F6 数据手册

ST Microelectronics（意法半导体）

N-沟道 40 V 2.8 mOhm 表面贴装 STripFET™ F6 功率 Mosfet - DPAK-3

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