STD2HNK60Z

￥ 0.17

STD2HNK60Z 数据手册 - ST Microelectronics（意法半导体）

制造商:

ST Microelectronics（意法半导体）

分类:

MOS管

封装:

TO-252-3

描述:

N沟道600V - 4.4ヘ - 2A - TO- 92 / TO- 220FP / DPAK / IPAK齐纳保护SuperMESH⑩功率MOSFET N-channel 600V - 4.4ヘ - 2A - TO-92/TO-220FP/DPAK/IPAK Zener-protected SuperMESH⑩ Power MOSFET

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

PDF文件:

STD2HNK60Z 数据手册 (16 页)

原理图在1 页

STD2HNK60Z 数据手册 (16 页)

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STD2HNK60Z 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Surface Mount

引脚数

3 Pin

封装

TO-252-3

极性

N-Channel

功耗

45000 mW

漏源极电压(Vds)

600 V

上升时间

30 ns

输入电容值(Ciss)

280pF @25V(Vds)

额定功率(Max)

45 W

下降时间

50 ns

工作温度(Max)

150 ℃

工作温度(Min)

-55 ℃

耗散功率(Max)

45W (Tc)

查看数据手册 >

STD2HNK60Z 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Active

包装方式

Tape & Reel (TR)

工作温度

-55℃ ~ 150℃ (TJ)

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STD2HNK60Z 符合标准

STD2HNK60Z 海关信息

STD2HNK60Z 数据手册

STD2HNK60Z 数据手册

ST Microelectronics（意法半导体）

16 页 / 0.44 MByte

STD2HNK60Z 产品封装文件

ST Microelectronics（意法半导体）

22 页 / 0.86 MByte

STD2HNK60Z 其他参考文件

ST Microelectronics（意法半导体）

1 页 / 0.13 MByte

STD2HNK60 数据手册

STD2HNK60Z-1 数据手册

ST Microelectronics（意法半导体）

STMICROELECTRONICS STD2HNK60Z-1 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 2 A, 600 V, 4.4 ohm, 10 V, 3.75 V

STD2HNK60Z 数据手册

ST Microelectronics（意法半导体）

N沟道600V - 4.4ヘ - 2A - TO- 92 / TO- 220FP / DPAK / IPAK齐纳保护SuperMESH⑩功率MOSFET N-channel 600V - 4.4ヘ - 2A - TO-92/TO-220FP/DPAK/IPAK Zener-protected SuperMESH⑩ Power MOSFET

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