￥ 0

STD2NB80T4 数据手册 - ST Microelectronics（意法半导体）

制造商:

ST Microelectronics（意法半导体）

分类:

MOS管

封装:

TO-252-3

描述:

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

PDF文件:

STD2NB80T4 数据手册 (9 页)

STD2NB80T4 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Surface Mount

引脚数

3 Pin

封装

TO-252-3

通道数

1 Channel

漏源极电阻

6.5 Ω

极性

N-Channel

功耗

55 W

漏源击穿电压

800 V

栅源击穿电压

±30.0 V

连续漏极电流(Ids)

1.90 A

上升时间

10 ns

下降时间

17 ns

工作温度(Max)

150 ℃

工作温度(Min)

65 ℃

查看数据手册 >

STD2NB80T4 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Unknown

包装方式

Tape & Reel (TR)

长度

6.6 mm

宽度

6.2 mm

高度

2.4 mm

查看数据手册 >

STD2NB80T4 符合标准

STD2NB80T4 数据手册

ST Microelectronics（意法半导体）

9 页 / 0.29 MByte

STD2NB80 数据手册

ST Microelectronics（意法半导体）

N - CHANNEL 800V - 4.6欧姆 - 1.9A - IPAK / DPAK的PowerMESH MOSFET N - CHANNEL 800V - 4.6 ohm - 1.9A - IPAK/DPAK PowerMESH MOSFET

STD2NB80T4 数据手册

ST Microelectronics（意法半导体）

器件 Datasheet 文档搜索

AiEMA 数据库涵盖高达 72,405,303 个元件的数据手册，每天更新 5,000 多个 PDF 文件

关联型号

热门型号