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STD30NF06LT4
0.793
STD30NF06LT4 数据手册 (10 页)
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STD30NF06LT4 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Surface Mount
引脚数
3 Pin
额定电压(DC)
60.0 V
额定电流
35.0 A
封装
TO-252-3
针脚数
3 Position
漏源极电阻
0.022 Ω
极性
N-Channel
功耗
70 W
阈值电压
1.7 V
输入电容
1600 pF
漏源极电压(Vds)
60 V
漏源击穿电压
60.0 V
栅源击穿电压
±20.0 V
连续漏极电流(Ids)
35.0 A
上升时间
105 ns
输入电容值(Ciss)
1600pF @25V(Vds)
额定功率(Max)
70 W
下降时间
25 ns
工作温度(Max)
175 ℃
工作温度(Min)
-55 ℃
耗散功率(Max)
70W (Tc)

STD30NF06LT4 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Active
包装方式
Tape & Reel (TR)
长度
6.6 mm
宽度
6.2 mm
高度
2.4 mm
工作温度
-55℃ ~ 175℃ (TJ)

STD30NF06LT4 数据手册

ST Microelectronics(意法半导体)
10 页 / 0.45 MByte
ST Microelectronics(意法半导体)
53 页 / 1.46 MByte
ST Microelectronics(意法半导体)
17 页 / 0.8 MByte
ST Microelectronics(意法半导体)
8 页 / 0.21 MByte
ST Microelectronics(意法半导体)
1 页 / 0.13 MByte

STD30NF06 数据手册

ST Microelectronics(意法半导体)
N沟道60V - 0.020欧姆 - 28A IPAK / DPAK STripFET⑩ II功率MOSFET N-CHANNEL 60V - 0.020 ohm - 28A IPAK/DPAK STripFET⑩ II POWER MOSFET
ST Microelectronics(意法半导体)
STMICROELECTRONICS  STD30NF06LT4  晶体管, MOSFET, N沟道, 35 A, 60 V, 0.022 ohm, 2.5 V, 1.7 V
ST Microelectronics(意法半导体)
STMICROELECTRONICS  STD30NF06T4  晶体管, MOSFET, N沟道, 15 A, 60 V, 20 mohm, 10 V, 4 V
ST Microelectronics(意法半导体)
N沟道60V - 0.022ohm - 35A DPAK / IPAK STripFET⑩功率MOSFET N-CHANNEL 60V - 0.022ohm - 35A DPAK/IPAK STripFET⑩ POWER MOSFET
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