￥ 1.253

STD36P4LLF6 数据手册 - ST Microelectronics（意法半导体）

制造商:

ST Microelectronics（意法半导体）

分类:

MOS管

封装:

TO-252-3

描述:

晶体管, MOSFET, P沟道, -36 A, -40 V, 0.0175 ohm, -10 V, -2.5 V

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

STD36P4LLF6 数据手册 (16 页)

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STD36P4LLF6 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Surface Mount

引脚数

3 Pin

封装

TO-252-3

通道数

1 Channel

针脚数

3 Position

漏源极电阻

17.5 mΩ

极性

P-CH

功耗

60 W

阈值电压

2.5 V

漏源极电压(Vds)

40 V

漏源击穿电压

40 V

连续漏极电流(Ids)

36A

上升时间

47 ns

输入电容值(Ciss)

2850pF @25V(Vds)

下降时间

19 ns

工作温度(Max)

175 ℃

工作温度(Min)

-55 ℃

耗散功率(Max)

60W (Tc)

STD36P4LLF6 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Active

包装方式

Tape & Reel (TR)

长度

6.6 mm

宽度

6.2 mm

高度

2.4 mm

工作温度

175℃ (TJ)

STD36P4LLF6 符合标准

STD36P4LLF6 数据手册

STD36P4LLF6 产品封装文件

ST Microelectronics（意法半导体）

16 页 / 0.4 MByte

STD36P4 数据手册

STD36P4LLF6 数据手册

ST Microelectronics（意法半导体）

晶体管, MOSFET, P沟道, -36 A, -40 V, 0.0175 ohm, -10 V, -2.5 V

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