STD3NK60ZT4

￥ 0.255

STD3NK60ZT4 数据手册 - ST Microelectronics（意法半导体）

制造商:

ST Microelectronics（意法半导体）

分类:

MOS管

封装:

TO-252-3

描述:

STMICROELECTRONICS STD3NK60ZT4 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 2.4 A, 600 V, 3.3 ohm, 10 V, 3.75 V

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

PDF文件:

STD3NK60ZT4 数据手册 (15 页)

原理图在1 页

STD3NK60ZT4 数据手册 (15 页)

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STD3NK60ZT4 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Surface Mount

引脚数

3 Pin

额定电压(DC)

600 V

额定电流

2.40 A

封装

TO-252-3

针脚数

3 Position

漏源极电阻

3.3 Ω

极性

N-Channel

功耗

45 W

阈值电压

3.75 V

漏源极电压(Vds)

600 V

漏源击穿电压

600 V

栅源击穿电压

±30.0 V

连续漏极电流(Ids)

2.40 A

上升时间

14 ns

输入电容值(Ciss)

311pF @25V(Vds)

额定功率(Max)

45 W

下降时间

14 ns

工作温度(Max)

150 ℃

工作温度(Min)

-55 ℃

耗散功率(Max)

45W (Tc)

查看数据手册 >

STD3NK60ZT4 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Active

包装方式

Tape & Reel (TR)

长度

6.6 mm

宽度

6.2 mm

高度

2.4 mm

工作温度

-55℃ ~ 150℃ (TJ)

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STD3NK60ZT4 符合标准

STD3NK60ZT4 海关信息

STD3NK60ZT4 概述

STD3NK60ZT4 数据手册

STD3NK60ZT4 数据手册

ST Microelectronics（意法半导体）

15 页 / 0.73 MByte

STD3NK60ZT4 其他数据使用手册

ST Microelectronics（意法半导体）

3 页 / 0.31 MByte

STD3NK60ZT4 产品修订记录

ST Microelectronics（意法半导体）

5 页 / 0.04 MByte

STD3NK60ZT4 其他参考文件

ST Microelectronics（意法半导体）

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N沟道600V - 3.3ohm - 2.4A TO- 220 / FP / D2PAK / DPAK / IPAK齐纳保护SuperMESH⑩Power MOSFET N-CHANNEL 600V - 3.3ohm - 2.4A TO-220/FP/D2PAK/DPAK/IPAK Zener-Protected SuperMESH⑩Power MOSFET

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N沟道600V - 3.3ohm - 2.4A TO- 220 / FP / D2PAK / DPAK / IPAK齐纳保护SuperMESH⑩Power MOSFET N-CHANNEL 600V - 3.3ohm - 2.4A TO-220/FP/D2PAK/DPAK/IPAK Zener-Protected SuperMESH⑩Power MOSFET

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