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STD3NK80Z-1 数据手册 - ST Microelectronics（意法半导体）

制造商:

ST Microelectronics（意法半导体）

分类:

MOS管

封装:

TO-251-3

描述:

STMICROELECTRONICS STD3NK80Z-1 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 1.25 A, 800 V, 3.8 ohm, 10 V, 3.75 V

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

PDF文件:

STD3NK80Z-1 数据手册 (18 页)

封装尺寸在11 页 12 页 13 页 14 页 15 页

STD3NK80Z-1 数据手册 (18 页)

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STD3NK80Z-1 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Through Hole

引脚数

3 Pin

封装

TO-251-3

针脚数

3 Position

漏源极电阻

3.8 Ω

极性

N-Channel

功耗

70 W

阈值电压

3.75 V

漏源极电压(Vds)

800 V

连续漏极电流(Ids)

1.25 A

上升时间

27 ns

输入电容值(Ciss)

485pF @25V(Vds)

额定功率(Max)

70 W

下降时间

40 ns

工作温度(Max)

150 ℃

工作温度(Min)

-55 ℃

耗散功率(Max)

70W (Tc)

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STD3NK80Z-1 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Active

包装方式

Tube

长度

6.6 mm

宽度

2.4 mm

高度

6.2 mm

工作温度

-55℃ ~ 150℃ (TJ)

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STD3NK80Z-1 符合标准

STD3NK80Z-1 海关信息

STD3NK80Z-1 概述

STD3NK80Z-1 数据手册

ST Microelectronics（意法半导体）

18 页 / 0.85 MByte

STD3NK80Z-1 其他数据使用手册

ST Microelectronics（意法半导体）

29 页 / 1.32 MByte

STD3NK80Z-1 产品修订记录

ST Microelectronics（意法半导体）

5 页 / 0.04 MByte

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N沟道800V - 3.8ヘ - 2.5A - TO- 220 / TO- 220FP / DPAK / IPAK齐纳保护SuperMESH⑩功率MOSFET N-channel 800V - 3.8ヘ - 2.5A - TO-220/TO-220FP/DPAK/IPAK Zener-protected SuperMESH⑩ Power MOSFET

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N沟道800 V ， 3.8 Ω ， 2.5 A ， TO- 220 ， TO- 220FP ， DPAK ， IPAK齐纳保护超网™功率MOSFET N-channel 800 V, 3.8 Ω, 2.5 A, TO-220, TO-220FP, DPAK, IPAK Zener-protected SuperMESH™ Power MOSFET

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