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STD40NF03LT4
0.477
STD40NF03LT4 数据手册 (13 页)
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STD40NF03LT4 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Surface Mount
引脚数
3 Pin
额定电压(DC)
30.0 V
额定电流
40.0 A
封装
TO-252-3
通道数
1 Channel
针脚数
3 Position
漏源极电阻
0.009 Ω
极性
N-Channel
功耗
80 W
阈值电压
1 V
漏源极电压(Vds)
30 V
漏源击穿电压
30.0 V
栅源击穿电压
±20.0 V
连续漏极电流(Ids)
20.0 A
上升时间
165 ns
输入电容值(Ciss)
1440pF @25V(Vds)
额定功率(Max)
80 W
下降时间
25 ns
工作温度(Max)
175 ℃
工作温度(Min)
-55 ℃
耗散功率(Max)
80W (Tc)

STD40NF03LT4 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Active
包装方式
Tape & Reel (TR)
宽度
6.2 mm
工作温度
-55℃ ~ 175℃ (TJ)

STD40NF03LT4 数据手册

ST Microelectronics(意法半导体)
13 页 / 0.34 MByte
ST Microelectronics(意法半导体)
14 页 / 0.33 MByte

STD40NF03 数据手册

ST Microelectronics(意法半导体)
STMICROELECTRONICS  STD40NF03LT4  晶体管, MOSFET, N沟道, 20 A, 30 V, 9 mohm, 10 V, 1 V
ST Microelectronics(意法半导体)
N沟道30V - 0.0090ohm - 40A - DPAK低栅极电荷的STripFET TM II功率MOSFET N-channel 30V - 0.0090ohm - 40A - DPAK Low gate charge STripFET TM II Power MOSFET
ST Microelectronics(意法半导体)
N沟道30V - 0.0090ohm - 40A - DPAK低栅极电荷的STripFET TM II功率MOSFET N-channel 30V - 0.0090ohm - 40A - DPAK Low gate charge STripFET TM II Power MOSFET
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