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STD4NK60ZT4
0.17
STD4NK60ZT4 数据手册 (16 页)
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STD4NK60ZT4 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Surface Mount
引脚数
3 Pin
额定电压(DC)
600 V
额定电流
4.00 A
封装
TO-252-3
额定功率
70 W
针脚数
3 Position
漏源极电阻
2 Ω
极性
N-Channel
功耗
70 W
阈值电压
2.3 V
漏源极电压(Vds)
600 V
漏源击穿电压
600 V
栅源击穿电压
±30.0 V
连续漏极电流(Ids)
4.00 A
上升时间
9.5 ns
输入电容值(Ciss)
510pF @25V(Vds)
额定功率(Max)
70 W
下降时间
16.5 ns
工作温度(Max)
150 ℃
工作温度(Min)
-55 ℃
耗散功率(Max)
70000 mW

STD4NK60ZT4 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Active
包装方式
Tape & Reel (TR)
长度
6.6 mm
宽度
6.2 mm
高度
2.4 mm
工作温度
150℃ (TJ)

STD4NK60ZT4 数据手册

ST Microelectronics(意法半导体)
16 页 / 0.74 MByte
ST Microelectronics(意法半导体)
1 页 / 0.42 MByte
ST Microelectronics(意法半导体)
32 页 / 0.7 MByte
ST Microelectronics(意法半导体)
5 页 / 0.04 MByte
ST Microelectronics(意法半导体)
1 页 / 0.13 MByte

STD4NK60 数据手册

ST Microelectronics(意法半导体)
STMICROELECTRONICS  STD4NK60ZT4  功率场效应管, MOSFET, N沟道, 4 A, 600 V, 2 ohm, 10 V, 2.3 V
ST Microelectronics(意法半导体)
N-二CHANNEL600V - 1.76ohm - 4ATO -220 / FP / DPAK / IPAK / D2PAK / I2PAK齐纳保护SuperMESH⑩Power MOSFET N-CHANNEL600V-1.76ohm-4ATO-220/FP/DPAK/IPAK/D2PAK/I2PAK Zener-Protected SuperMESH⑩Power MOSFET
ST Microelectronics(意法半导体)
N沟道600 V - 1.76ヘ - 4 A SuperMESH⑩功率MOSFET采用DPAK - D2PAK - IPAK - I2PAK - TO- 220 - TO- 220FP N-channel 600 V - 1.76 ヘ - 4 A SuperMESH⑩ Power MOSFET DPAK - D2PAK - IPAK - I2PAK - TO-220 - TO-220FP
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