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STD5NK40Z-1
0.741
STD5NK40Z-1 数据手册 (13 页)
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STD5NK40Z-1 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Through Hole
引脚数
3 Pin
封装
TO-251-3
通道数
1 Channel
针脚数
3 Position
漏源极电阻
1.47 Ω
极性
N-Channel
功耗
45 W
阈值电压
3.75 V
漏源极电压(Vds)
400 V
漏源击穿电压
400 V
栅源击穿电压
±30.0 V
连续漏极电流(Ids)
3.00 A
上升时间
6 ns
输入电容值(Ciss)
305pF @25V(Vds)
额定功率(Max)
45 W
下降时间
11 ns
工作温度(Max)
150 ℃
工作温度(Min)
-55 ℃
耗散功率(Max)
45W (Tc)

STD5NK40Z-1 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Unknown
包装方式
Tube
长度
6.6 mm
宽度
2.4 mm
高度
6.2 mm
工作温度
-55℃ ~ 150℃ (TJ)

STD5NK40Z-1 数据手册

ST Microelectronics(意法半导体)
13 页 / 0.58 MByte
ST Microelectronics(意法半导体)
14 页 / 0.58 MByte
ST Microelectronics(意法半导体)
30 页 / 0.31 MByte

STD5NK40 数据手册

ST Microelectronics(意法半导体)
STMICROELECTRONICS  STD5NK40ZT4  晶体管, MOSFET, N沟道, 3 A, 400 V, 1.47 ohm, 10 V, 3.75 V
ST Microelectronics(意法半导体)
N 通道 MDmesh™ SuperMESH™,250V 至 650V,STMicroelectronics### MOSFET 晶体管,STMicroelectronics
ST Microelectronics(意法半导体)
N 通道 MDmesh™ SuperMESH™,250V 至 650V,STMicroelectronics### MOSFET 晶体管,STMicroelectronics
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