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STD5NM60T4 数据手册 - ST Microelectronics（意法半导体）

制造商:

ST Microelectronics（意法半导体）

分类:

MOS管

封装:

TO-252-3

描述:

STMICROELECTRONICS STD5NM60T4 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 5 A, 650 V, 1 ohm, 10 V, 4 V

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

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STD5NM60T4 数据手册 (18 页)

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STD5NM60T4 数据手册 (18 页)

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STD5NM60T4 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Surface Mount

引脚数

3 Pin

额定电压(DC)

600 V

额定电流

5.00 A

封装

TO-252-3

额定功率

96 W

通道数

1 Channel

针脚数

3 Position

漏源极电阻

1 Ω

极性

N-Channel

功耗

96 W

阈值电压

4 V

漏源极电压(Vds)

600 V

漏源击穿电压

600 V

栅源击穿电压

±30.0 V

连续漏极电流(Ids)

5.00 A

上升时间

10 ns

输入电容值(Ciss)

400pF @25V(Vds)

额定功率(Max)

96 W

下降时间

10 ns

工作温度(Max)

150 ℃

工作温度(Min)

55 ℃

耗散功率(Max)

96W (Tc)

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STD5NM60T4 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Active

包装方式

Tape & Reel (TR)

长度

6.6 mm

宽度

6.2 mm

高度

2.4 mm

工作温度

-55℃ ~ 150℃ (TJ)

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STD5NM60T4 符合标准

STD5NM60T4 海关信息

STD5NM60T4 概述