￥ 0.596

STD60N55F3 数据手册 - ST Microelectronics（意法半导体）

制造商:

ST Microelectronics（意法半导体）

分类:

MOS管

封装:

TO-252-3

描述:

N 通道 STripFET™ F3，STMicroelectronicsSTripFET™ MOSFET，带宽击穿电压范围，可提供超低栅极电话和低接通电阻。### MOSFET 晶体管，STMicroelectronics

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

PDF文件:

STD60N55F3 数据手册 (20 页)

封装尺寸在10 页 11 页 12 页 13 页 14 页 15 页 16 页

STD60N55F3 数据手册 (20 页)

查看文档

或点击图片查看大图

STD60N55F3 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Surface Mount

引脚数

3 Pin

封装

TO-252-3

极性

N-CH

功耗

110 W

输入电容

2200 pF

漏源极电压(Vds)

55 V

连续漏极电流(Ids)

80A

上升时间

50 ns

输入电容值(Ciss)

2200pF @25V(Vds)

额定功率(Max)

110 W

下降时间

11.5 ns

工作温度(Max)

175 ℃

工作温度(Min)

-55 ℃

耗散功率(Max)

110W (Tc)

查看数据手册 >

STD60N55F3 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Active

包装方式

Tape & Reel (TR)

长度

6.6 mm

宽度

6.2 mm

高度

2.4 mm

工作温度

-55℃ ~ 175℃ (TJ)

查看数据手册 >

STD60N55F3 符合标准

STD60N55F3 海关信息

STD60N55F3 概述

STD60N55F3 数据手册

ST Microelectronics（意法半导体）

20 页 / 0.6 MByte

STD60N55 数据手册

ST Microelectronics（意法半导体）

N沟道55V - 8.0mз - 65A - DPAK - IPAK MDmesh⑩低电压功率MOSFET N-channel 55V - 8.0mз - 65A - DPAK - IPAK MDmesh⑩ low voltage Power MOSFET

STD60N55F3 数据手册

ST Microelectronics（意法半导体）

N 通道 STripFET™ F3，STMicroelectronicsSTripFET™ MOSFET，带宽击穿电压范围，可提供超低栅极电话和低接通电阻。### MOSFET 晶体管，STMicroelectronics

STD60N55-1 数据手册

ST Microelectronics（意法半导体）

N沟道55V - 8.0mз - 65A - DPAK - IPAK MDmesh⑩低电压功率MOSFET N-channel 55V - 8.0mз - 65A - DPAK - IPAK MDmesh⑩ low voltage Power MOSFET

器件 Datasheet 文档搜索

AiEMA 数据库涵盖高达 72,405,303 个元件的数据手册，每天更新 5,000 多个 PDF 文件

关联型号

热门型号