BOM智能匹配样例
登录
免费注册
Datasheet 搜索
> MOS管 > ST Microelectronics(意法半导体) > STD6N62K3 Datasheet 文档
器件3D模型
¥ 8.993
STD6N62K3 数据手册 - ST Microelectronics(意法半导体)
制造商:
ST Microelectronics(意法半导体)
分类:
MOS管
封装:
TO-252-3
描述:
STMICROELECTRONICS STD6N62K3 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 5.5 A, 620 V, 0.95 ohm, 10 V, 3.75 V
Pictures:
3D模型
符号图
焊盘图
引脚图
产品图
PDF文件:
STD6N62K3 数据手册 (19 页)
封装尺寸
在
10 页
11 页
12 页
13 页
14 页
STD6N62K3 数据手册
暂未收录 STD6N62K3 的数据手册
登录以发送补充文档请求
登 录
申请补充文档
STD6N62K3 数据手册 (19 页)
查看文档
1
应用领域
查看文档
2
查看文档
3
技术参数、封装参数
查看文档
4
电气规格
查看文档
5
电气规格
查看文档
6
电气规格
查看文档
或点击图片查看大图
STD6N62K3 技术参数、封装参数
类型
描述
安装方式
Surface Mount
引脚数
3 Pin
封装
TO-252-3
针脚数
3 Position
漏源极电阻
0.95 Ω
极性
N-Channel
功耗
90 W
阈值电压
3.75 V
输入电容
875 pF
漏源极电压(Vds)
620 V
连续漏极电流(Ids)
5.5A
上升时间
12 ns
输入电容值(Ciss)
706pF @50V(Vds)
额定功率(Max)
90 W
下降时间
20 ns
工作温度(Max)
150 ℃
工作温度(Min)
-55 ℃
耗散功率(Max)
90W (Tc)
查看数据手册 >
STD6N62K3 外形尺寸、物理参数、其它
类型
描述
产品生命周期
Active
包装方式
Tape & Reel (TR)
长度
6.6 mm
宽度
6.2 mm
高度
2.4 mm
工作温度
150℃ (TJ)
查看数据手册 >
STD6N62K3 符合标准
STD6N62K3 概述
●
N 通道 MDmesh™ K3 系列,SuperMESH3™, STMicroelectronics
查看数据手册 >
更多
STD6N62K3 数据手册
STD6N62K3
数据手册
ST Microelectronics(意法半导体)
19 页 / 1.03 MByte
STD6N62K3
其他数据使用手册
ST Microelectronics(意法半导体)
23 页 / 1.26 MByte
STD6N62K3
产品封装文件
ST Microelectronics(意法半导体)
19 页 / 1.02 MByte
STD6N62K3
产品修订记录
ST Microelectronics(意法半导体)
5 页 / 0.04 MByte
STD6N62 数据手册
STD6N62
K3
数据手册
ST Microelectronics(意法半导体)
STMICROELECTRONICS STD6N62K3 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 5.5 A, 620 V, 0.95 ohm, 10 V, 3.75 V
器件 Datasheet 文档搜索
搜索
示例:
STM32F103
器件加载中...
AiEMA 数据库涵盖高达 72,405,303 个元件的数据手册,每天更新 5,000 多个 PDF 文件
关联型号
热门型号
最新型号
SN74LVC2G07DBVR
TDA2822D
ICL7107CPLZ
STM32F100RBT6B
LM2901D
TFP410PAP
SN74HCT125N
TPS7A4901DGNT
C0603C105K4RACTU
更多热门型号文档
BOM选型工具
智能匹配型号
推荐替代方案
预警生产风险
计算采购成本
上传BOM文件
文件格式:*.xlsx,*.xls,*csv
Gerber文件查看器
15秒快速建模
预览PCB成品
支持40种板层
预检生产问题
上传Gerber文件
支持标准RS-274X文件,接受zip、rar、7z