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STD6N62K3 数据手册 - ST Microelectronics（意法半导体）

制造商:

ST Microelectronics（意法半导体）

分类:

MOS管

封装:

TO-252-3

描述:

STMICROELECTRONICS STD6N62K3 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 5.5 A, 620 V, 0.95 ohm, 10 V, 3.75 V

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

PDF文件:

STD6N62K3 数据手册 (19 页)

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STD6N62K3 数据手册 (19 页)

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STD6N62K3 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Surface Mount

引脚数

3 Pin

封装

TO-252-3

针脚数

3 Position

漏源极电阻

0.95 Ω

极性

N-Channel

功耗

90 W

阈值电压

3.75 V

输入电容

875 pF

漏源极电压(Vds)

620 V

连续漏极电流(Ids)

5.5A

上升时间

12 ns

输入电容值(Ciss)

706pF @50V(Vds)

额定功率(Max)

90 W

下降时间

20 ns

工作温度(Max)

150 ℃

工作温度(Min)

-55 ℃

耗散功率(Max)

90W (Tc)

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STD6N62K3 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Active

包装方式

Tape & Reel (TR)

长度

6.6 mm

宽度

6.2 mm

高度

2.4 mm

工作温度

150℃ (TJ)

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STD6N62K3 符合标准

STD6N62K3 概述

STD6N62K3 数据手册

ST Microelectronics（意法半导体）

19 页 / 1.03 MByte

STD6N62K3 其他数据使用手册

ST Microelectronics（意法半导体）

23 页 / 1.26 MByte

STD6N62K3 产品封装文件

ST Microelectronics（意法半导体）

19 页 / 1.02 MByte

STD6N62K3 产品修订记录

ST Microelectronics（意法半导体）

5 页 / 0.04 MByte

STD6N62 数据手册

STD6N62K3 数据手册

ST Microelectronics（意法半导体）

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