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STD6N80K5 数据手册 - ST Microelectronics（意法半导体）

制造商:

ST Microelectronics（意法半导体）

分类:

MOS管

封装:

TO-252-3

描述:

800V,1.6Ω,4.5A,N沟道功率MOSFET

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

PDF文件:

STD6N80K5 数据手册 (27 页)

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STD6N80K5 数据手册 (27 页)

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STD6N80K5 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Surface Mount

引脚数

3 Pin

封装

TO-252-3

通道数

1 Channel

针脚数

3 Position

漏源极电阻

1.6 Ω

极性

N-CH

功耗

110 W

阈值电压

4 V

漏源极电压(Vds)

800 V

漏源击穿电压

800 V

连续漏极电流(Ids)

4.5A

输入电容值(Ciss)

255pF @100V(Vds)

额定功率(Max)

110 W

工作温度(Max)

150 ℃

工作温度(Min)

-55 ℃

耗散功率(Max)

85W (Tc)

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STD6N80K5 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Active

包装方式

Tape & Reel (TR)

工作温度

-55℃ ~ 150℃ (TJ)

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STD6N80K5 符合标准

STD6N80K5 海关信息

STD6N80K5 数据手册

ST Microelectronics（意法半导体）

27 页 / 1.23 MByte

STD6N80K5 其他数据使用手册

ST Microelectronics（意法半导体）

20 页 / 1.11 MByte

STD6N80K5 产品封装文件

ST Microelectronics（意法半导体）

26 页 / 1.25 MByte

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800V,1.6Ω,4.5A,N沟道功率MOSFET

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