Web Analytics
Datasheet 搜索 > MOS管 > ST Microelectronics(意法半导体) > STD6NF10T4 Datasheet 文档
STD6NF10T4
0.33
STD6NF10T4 数据手册 (14 页)
查看文档
或点击图片查看大图

STD6NF10T4 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Surface Mount
引脚数
3 Pin
额定电压(DC)
100 V
额定电流
6.00 A
封装
TO-252-3
通道数
1 Channel
针脚数
3 Position
漏源极电阻
0.22 Ω
极性
N-Channel
功耗
30 W
阈值电压
4 V
漏源极电压(Vds)
100 V
漏源击穿电压
100 V
栅源击穿电压
±20.0 V
连续漏极电流(Ids)
3.00 A
上升时间
10 ns
输入电容值(Ciss)
280pF @25V(Vds)
额定功率(Max)
30 W
下降时间
3 ns
工作温度(Max)
175 ℃
工作温度(Min)
-65 ℃
耗散功率(Max)
30W (Tc)

STD6NF10T4 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Active
包装方式
Tape & Reel (TR)
长度
6.6 mm
宽度
6.2 mm
高度
2.4 mm
工作温度
-65℃ ~ 175℃ (TJ)

STD6NF10T4 数据手册

ST Microelectronics(意法半导体)
14 页 / 0.31 MByte
ST Microelectronics(意法半导体)
15 页 / 0.3 MByte
ST Microelectronics(意法半导体)
5 页 / 0.04 MByte

STD6NF10 数据手册

ST Microelectronics(意法半导体)
N 通道 STripFET™,STMicroelectronics### MOSFET 晶体管,STMicroelectronics
ST Microelectronics(意法半导体)
STMICROELECTRONICS  STD6NF10T4  晶体管, MOSFET, N沟道, 3 A, 100 V, 220 mohm, 10 V, 4 V
ST Microelectronics(意法半导体)
N沟道100 V, 0.22 Ω , 6 A, DPAK , IPAK低栅极电荷的STripFET ?功率MOSFET N-channel 100 V, 0.22 Ω, 6 A, DPAK, IPAK low gate charge STripFET? Power MOSFET
器件 Datasheet 文档搜索
器件加载中...
AiEMA 数据库涵盖高达 72,405,303 个元件的数据手册,每天更新 5,000 多个 PDF 文件

关联型号

BOM选型工具
智能匹配型号
推荐替代方案
预警生产风险
计算采购成本
上传BOM文件
文件格式:*.xlsx,*.xls,*csv
Gerber文件查看器
15秒快速建模
预览PCB成品
支持40种板层
预检生产问题
上传Gerber文件
支持标准RS-274X文件,接受zip、rar、7z