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STD6NK50ZT4
1.755
STD6NK50ZT4 数据手册 (12 页)
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STD6NK50ZT4 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Surface Mount
引脚数
3 Pin
额定电压(DC)
500 V
额定电流
5.60 A
封装
TO-252-3
漏源极电阻
0.93 Ω
极性
N-Channel
功耗
90 W
阈值电压
3.75 V
漏源极电压(Vds)
500 V
连续漏极电流(Ids)
5.60 A
上升时间
23.5 ns
输入电容值(Ciss)
690pF @25V(Vds)
额定功率(Max)
90 W
下降时间
23 ns
工作温度(Max)
150 ℃
工作温度(Min)
-55 ℃
耗散功率(Max)
90W (Tc)

STD6NK50ZT4 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Active
包装方式
Tape & Reel (TR)
长度
6.6 mm
宽度
6.2 mm
高度
2.4 mm
工作温度
-55℃ ~ 150℃ (TJ)

STD6NK50ZT4 数据手册

ST Microelectronics(意法半导体)
12 页 / 0.38 MByte

STD6NK50 数据手册

ST Microelectronics(意法半导体)
N 通道 MDmesh™ SuperMESH™,250V 至 650V,STMicroelectronics### MOSFET 晶体管,STMicroelectronics
ST Microelectronics(意法半导体)
N沟道500V - 0.93欧姆 - 5.6A TO- 220 / TO- 220FP / DPAK齐纳保护的超网MOSFET N-CHANNEL 500V - 0.93 ohm - 5.6A TO-220/TO-220FP/DPAK Zener-Protected SuperMESH MOSFET
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