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STD7NS20T4
0.353
STD7NS20T4 数据手册 (8 页)
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STD7NS20T4 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Surface Mount
引脚数
3 Pin
额定电压(DC)
200 V
额定电流
7.00 A
封装
TO-252-3
通道数
1 Channel
针脚数
3 Position
漏源极电阻
0.35 Ω
极性
N-Channel
功耗
45 W
阈值电压
3 V
漏源极电压(Vds)
200 V
漏源击穿电压
200 V
栅源击穿电压
±20.0 V
连续漏极电流(Ids)
7.00 A
上升时间
15 ns
输入电容值(Ciss)
540pF @25V(Vds)
额定功率(Max)
45 W
下降时间
12 ns
工作温度(Max)
150 ℃
工作温度(Min)
-65 ℃
耗散功率(Max)
45W (Tc)

STD7NS20T4 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Active
包装方式
Tape & Reel (TR)
长度
6.6 mm
宽度
6.2 mm
高度
2.4 mm
工作温度
150℃ (TJ)

STD7NS20T4 数据手册

ST Microelectronics(意法半导体)
8 页 / 0.31 MByte
ST Microelectronics(意法半导体)
17 页 / 0.8 MByte

STD7NS20 数据手册

ST Microelectronics(意法半导体)
N沟道200V - 0.35ohm - 7A的DPAK / IPAK MESH OVERLAY⑩ MOSFET N-CHANNEL 200V - 0.35ohm - 7A DPAK / IPAK MESH OVERLAY⑩ MOSFET
ST Microelectronics(意法半导体)
STMICROELECTRONICS  STD7NS20T4  晶体管, MOSFET, N沟道, 7 A, 200 V, 0.35 ohm, 10 V, 3 V
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