￥ 2.087

STD80N10F7 数据手册 - ST Microelectronics（意法半导体）

制造商:

ST Microelectronics（意法半导体）

分类:

MOS管

封装:

TO-252-3

描述:

N 通道 STripFET™ H7 系列，STMicroelectronicsSTripFET™ MOSFET，带宽击穿电压范围，可提供超低栅极电话和低接通电阻。### MOSFET 晶体管，STMicroelectronics

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

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STD80N10F7 数据手册 (25 页)

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STD80N10F7 数据手册 (25 页)

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STD80N10F7 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Surface Mount

引脚数

3 Pin

封装

TO-252-3

通道数

1 Channel

漏源极电阻

10 mΩ

极性

N-CH

功耗

85 W

阈值电压

4.5 V

输入电容

3100 pF

漏源极电压(Vds)

100 V

漏源击穿电压

100 V

连续漏极电流(Ids)

70A

上升时间

32 ns

输入电容值(Ciss)

3100pF @50V(Vds)

额定功率(Max)

85 W

下降时间

13 ns

工作温度(Max)

175 ℃

工作温度(Min)

-55 ℃

耗散功率(Max)

85W (Tc)

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STD80N10F7 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Active

包装方式

Tape & Reel (TR)

长度

6.6 mm

宽度

6.2 mm

高度

2.4 mm

工作温度

-55℃ ~ 175℃ (TJ)

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STD80N10F7 符合标准

STD80N10F7 海关信息

STD80N10F7 概述