￥ 0.796

STD86N3LH5 数据手册 - ST Microelectronics（意法半导体）

制造商:

ST Microelectronics（意法半导体）

分类:

MOS管

封装:

TO-252-3

描述:

N沟道30 V ， 0.0045欧姆， 80 A， DPAK的STripFET V功率MOSFET N-channel 30 V, 0.0045 Ohm , 80 A, DPAK STripFET V Power MOSFET

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

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STD86N3LH5 数据手册 (16 页)

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STD86N3LH5 数据手册 (16 页)

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STD86N3LH5 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Surface Mount

引脚数

3 Pin

封装

TO-252-3

针脚数

3 Position

漏源极电阻

0.0045 Ω

功耗

70 W

阈值电压

1.8 V

输入电容

1850 pF

漏源极电压(Vds)

30 V

上升时间

14 ns

输入电容值(Ciss)

1850pF @25V(Vds)

额定功率(Max)

70 W

下降时间

10.8 ns

工作温度(Max)

175 ℃

工作温度(Min)

-55 ℃

耗散功率(Max)

70W (Tc)

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STD86N3LH5 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Active

包装方式

Tape & Reel (TR)

长度

6.6 mm

宽度

6.2 mm

高度

2.4 mm

工作温度

175℃ (TJ)

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STD86N3LH5 符合标准

STD86N3LH5 海关信息

STD86N3LH5 概述

STD86N3LH5 数据手册

ST Microelectronics（意法半导体）

16 页 / 0.63 MByte

STD86N3LH5 产品封装文件

ST Microelectronics（意法半导体）

18 页 / 0.74 MByte

STD86N3LH5 产品修订记录

ST Microelectronics（意法半导体）

5 页 / 0.04 MByte

STD86N3 数据手册

STD86N3LH5 数据手册

ST Microelectronics（意法半导体）

N沟道30 V ， 0.0045欧姆， 80 A， DPAK的STripFET V功率MOSFET N-channel 30 V, 0.0045 Ohm , 80 A, DPAK STripFET V Power MOSFET

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