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STD8NF25
0.944
STD8NF25 数据手册 (14 页)
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STD8NF25 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Surface Mount
引脚数
3 Pin
封装
TO-252-3
针脚数
3 Position
漏源极电阻
0.318 Ω
极性
N-CH
功耗
72 W
阈值电压
4 V
输入电容
500 pF
漏源极电压(Vds)
250 V
连续漏极电流(Ids)
8A
上升时间
10 ns
输入电容值(Ciss)
500pF @25V(Vds)
额定功率(Max)
72 W
下降时间
6 ns
工作温度(Max)
175 ℃
工作温度(Min)
-55 ℃
耗散功率(Max)
72W (Tc)

STD8NF25 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Active
包装方式
Tape & Reel (TR)
工作温度
-55℃ ~ 175℃ (TJ)

STD8NF25 数据手册

ST Microelectronics(意法半导体)
14 页 / 0.81 MByte
ST Microelectronics(意法半导体)
14 页 / 0.8 MByte
ST Microelectronics(意法半导体)
5 页 / 0.04 MByte

STD8 数据手册

ST Microelectronics(意法半导体)
STMICROELECTRONICS  STD888T4  单晶体管 双极, PNP, 30 V, 15 W, -10 A, 200 hFE
ST Microelectronics(意法半导体)
N 通道 MDmesh™ K5 系列,SuperMESH5™, STMicroelectronics### MOSFET 晶体管,STMicroelectronics
ST Microelectronics(意法半导体)
STMICROELECTRONICS  STD8N65M5  功率场效应管, MOSFET, N沟道, 7 A, 650 V, 0.56 ohm, 10 V, 4 V
ST Microelectronics(意法半导体)
N 通道 STripFET™ DeepGate™,STMicroelectronicsSTripFET™ MOSFET,带宽击穿电压范围,可提供超低栅极电话和低接通电阻。### MOSFET 晶体管,STMicroelectronics
ST Microelectronics(意法半导体)
N 通道 MDmesh™,500V,STMicroelectronics### MOSFET 晶体管,STMicroelectronics
ST Microelectronics(意法半导体)
N沟道30 V , 0.0045欧姆, 80 A, DPAK的STripFET V功率MOSFET N-channel 30 V, 0.0045 Ohm , 80 A, DPAK STripFET V Power MOSFET
ST Microelectronics(意法半导体)
N 通道 STripFET™ DeepGate™,STMicroelectronicsSTripFET™ MOSFET,带宽击穿电压范围,可提供超低栅极电话和低接通电阻。### MOSFET 晶体管,STMicroelectronics
ST Microelectronics(意法半导体)
ST Microelectronics(意法半导体)
晶体管, MOSFET, N沟道, 8 A, 250 V, 0.318 ohm, 10 V, 4 V
ST Microelectronics(意法半导体)
N 通道 STripFET™ H7 系列,STMicroelectronicsSTripFET™ MOSFET,带宽击穿电压范围,可提供超低栅极电话和低接通电阻。### MOSFET 晶体管,STMicroelectronics
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