￥ 1.199

STD8NM60ND 数据手册 - ST Microelectronics（意法半导体）

制造商:

ST Microelectronics（意法半导体）

分类:

MOS管

封装:

TO-252-3

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

PDF文件:

STD8NM60ND 数据手册 (17 页)

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STD8NM60ND 数据手册 (17 页)

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STD8NM60ND 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Surface Mount

引脚数

3 Pin

封装

TO-252-3

通道数

1 Channel

漏源极电阻

0.59 Ω

极性

N-Channel

功耗

70 W

阈值电压

4 V

漏源极电压(Vds)

600 V

漏源击穿电压

600 V

上升时间

22 ns

输入电容值(Ciss)

560pF @50V(Vds)

额定功率(Max)

70 W

下降时间

22 ns

工作温度(Max)

150 ℃

工作温度(Min)

-55 ℃

耗散功率(Max)

70W (Tc)

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STD8NM60ND 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Not Recommended for New Designs

包装方式

Tape & Reel (TR)

长度

6.6 mm

宽度

6.2 mm

高度

2.4 mm

工作温度

150℃ (TJ)

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STD8NM60ND 符合标准

STD8NM60ND 数据手册

ST Microelectronics（意法半导体）

17 页 / 0.7 MByte

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