STE180NE10

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STE180NE10 数据手册 - ST Microelectronics（意法半导体）

制造商:

ST Microelectronics（意法半导体）

分类:

MOS管

封装:

ISOTOP

描述:

N沟道100V - 4.5米ヘ - 180A - ISOTOP STripFET⑩功率MOSFET N-channel 100V - 4.5mヘ - 180A - ISOTOP STripFET⑩ Power MOSFET

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

PDF文件:

STE180NE10 数据手册 (12 页)

封装尺寸在9 页 10 页

STE180NE10 数据手册 (12 页)

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STE180NE10 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Screw

引脚数

4 Pin

额定电压(DC)

100 V

额定电流

180 A

封装

ISOTOP

额定功率

360 W

漏源极电阻

6 mΩ

极性

N-Channel

功耗

360 W

阈值电压

3 V

漏源极电压(Vds)

100 V

漏源击穿电压

100 V

栅源击穿电压

±20.0 V

连续漏极电流(Ids)

180 A

上升时间

600 ns

隔离电压

2.5 kV

输入电容值(Ciss)

21000pF @25V(Vds)

额定功率(Max)

360 W

下降时间

440 ns

工作温度(Max)

150 ℃

工作温度(Min)

-55 ℃

耗散功率(Max)

360W (Tc)

查看数据手册 >

STE180NE10 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Obsolete

包装方式

Tube

工作温度

-55℃ ~ 150℃ (TJ)

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STE180NE10 符合标准

STE180NE10 概述

STE180NE10 数据手册

STE180NE10 数据手册

ST Microelectronics（意法半导体）

12 页 / 0.25 MByte

STE180 数据手册

STE180NE10 数据手册

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