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STE48NM50
143.214

STE48NM50 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Surface Mount
引脚数
4 Pin
额定电压(DC)
550 V
额定电流
48.0 A
封装
ISOTOP-4
通道数
1 Channel
针脚数
4 Position
漏源极电阻
80 mΩ
极性
N-Channel
功耗
450 W
阈值电压
4 V
漏源极电压(Vds)
550 V
漏源击穿电压
500 V
栅源击穿电压
±30.0 V
连续漏极电流(Ids)
48.0 A
上升时间
35 ns
输入电容值(Ciss)
3700pF @25V(Vds)
额定功率(Max)
450 W
下降时间
23 ns
工作温度(Max)
150 ℃
工作温度(Min)
-65 ℃
耗散功率(Max)
450W (Tc)

STE48NM50 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Active
包装方式
Tube
长度
38.2 mm
宽度
25.5 mm
高度
12.2 mm
工作温度
-65℃ ~ 150℃

STE48NM50 数据手册

ST Microelectronics(意法半导体)
9 页 / 0.23 MByte
ST Microelectronics(意法半导体)
4 页 / 0.55 MByte
ST Microelectronics(意法半导体)
1 页 / 0.13 MByte

STE48 数据手册

ST Microelectronics(意法半导体)
STMICROELECTRONICS  STE48NM50  晶体管, MOSFET, N沟道, 24 A, 550 V, 0.08 ohm, 30 V, 4 V
ST Microelectronics(意法半导体)
N沟道600V - 0.09W - 48A ISOTOP的MDmesh -TM功率MOSFET N-CHANNEL 600V - 0.09W - 48A ISOTOP MDmesh-TM Power MOSFET
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