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STE48NM60 数据手册 - ST Microelectronics（意法半导体）

制造商:

ST Microelectronics（意法半导体）

分类:

MOS管

封装:

ISOTOP

描述:

N沟道600V - 0.09W - 48A ISOTOP的MDmesh -TM功率MOSFET N-CHANNEL 600V - 0.09W - 48A ISOTOP MDmesh-TM Power MOSFET

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

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STE48NM60 数据手册 (9 页)

原理图在1 页

STE48NM60 数据手册 (9 页)

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STE48NM60 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Screw

额定电压(DC)

600 V

额定电流

48.0 A

封装

ISOTOP

功耗

450W (Tc)

漏源极电压(Vds)

650 V

连续漏极电流(Ids)

48.0 A

上升时间

20.0 ns

输入电容值(Ciss)

3800pF @25V(Vds)

额定功率(Max)

450 W

耗散功率(Max)

450W (Tc)

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STE48NM60 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Unknown

包装方式

Tube

工作温度

150℃ (TJ)

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STE48NM60 符合标准

STE48NM60 概述

STE48NM60 数据手册

ST Microelectronics（意法半导体）

9 页 / 0.25 MByte

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ST Microelectronics（意法半导体）

STMICROELECTRONICS STE48NM50 晶体管, MOSFET, N沟道, 24 A, 550 V, 0.08 ohm, 30 V, 4 V

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N沟道600V - 0.09W - 48A ISOTOP的MDmesh -TM功率MOSFET N-CHANNEL 600V - 0.09W - 48A ISOTOP MDmesh-TM Power MOSFET

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