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STE88N65M5 数据手册 - ST Microelectronics（意法半导体）

制造商:

ST Microelectronics（意法半导体）

分类:

MOS管

封装:

ISOTOP-4

描述:

晶体管, MOSFET, N沟道, 88 A, 650 V, 0.024 ohm, 10 V, 4 V

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

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STE88N65M5 数据手册 (15 页)

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STE88N65M5 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Screw

引脚数

4 Pin

封装

ISOTOP-4

额定功率

494 W

针脚数

4 Position

漏源极电阻

0.024 Ω

极性

N-CH

功耗

494 W

阈值电压

4 V

漏源极电压(Vds)

650 V

连续漏极电流(Ids)

88A

上升时间

16 ns

输入电容值(Ciss)

8825pF @100V(Vds)

下降时间

29 ns

工作温度(Max)

150 ℃

工作温度(Min)

-55 ℃

耗散功率(Max)

494W (Tc)

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STE88N65M5 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Active

包装方式

Tube

工作温度

150℃ (TJ)

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STE88N65M5 符合标准

STE88N65M5 数据手册

ST Microelectronics（意法半导体）

15 页 / 0.96 MByte

STE88N65M5 产品封装文件

ST Microelectronics（意法半导体）

14 页 / 0.97 MByte

STE88N65M5 产品修订记录

ST Microelectronics（意法半导体）

30 页 / 0.31 MByte

STE88N65 数据手册

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晶体管, MOSFET, N沟道, 88 A, 650 V, 0.024 ohm, 10 V, 4 V

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