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STF10N60M2 数据手册 - ST Microelectronics（意法半导体）

制造商:

ST Microelectronics（意法半导体）

分类:

MOS管

封装:

TO-220-3

描述:

600V,0.56Ω,7.5A,N沟道功率MOSFET

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

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STF10N60M2 数据手册 (14 页)

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STF10N60M2 数据手册 (14 页)

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STF10N60M2 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Through Hole

引脚数

3 Pin

封装

TO-220-3

通道数

1 Channel

针脚数

3 Position

漏源极电阻

0.55 Ω

极性

N-CH

功耗

25 W

阈值电压

3 V

漏源极电压(Vds)

600 V

连续漏极电流(Ids)

7.5A

上升时间

8 ns

输入电容值(Ciss)

400pF @100V(Vds)

额定功率(Max)

25 W

下降时间

13.2 ns

工作温度(Max)

150 ℃

工作温度(Min)

-55 ℃

耗散功率(Max)

25W (Tc)

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STF10N60M2 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Active

包装方式

Tube

长度

10.4 mm

宽度

4.6 mm

高度

16.4 mm

工作温度

-55℃ ~ 150℃ (TJ)

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STF10N60M2 符合标准

STF10N60M2 海关信息

STF10N60M2 概述

STF10N60M2 数据手册

ST Microelectronics（意法半导体）

14 页 / 0.5 MByte

STF10N60M2 产品封装文件

ST Microelectronics（意法半导体）

14 页 / 1.03 MByte

STF10N60 数据手册

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ST Microelectronics（意法半导体）

600V,0.56Ω,7.5A,N沟道功率MOSFET

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ST Microelectronics（意法半导体）

N沟道 600V 8A

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