￥ 0.441

STF11N52K3 数据手册 - ST Microelectronics（意法半导体）

制造商:

ST Microelectronics（意法半导体）

分类:

MOS管

封装:

TO-220-3

描述:

525V,0.41Ω,10A,N沟道功率MOSFET

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

STF11N52K3 数据手册 (20 页)

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STF11N52K3 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Through Hole

引脚数

3 Pin

封装

TO-220-3

漏源极电阻

0.41 Ω

极性

N-Channel

功耗

30 W

阈值电压

3.75 V

漏源极电压(Vds)

525 V

连续漏极电流(Ids)

10A

上升时间

18 ns

输入电容值(Ciss)

1400pF @50V(Vds)

额定功率(Max)

30 W

下降时间

42 ns

工作温度(Max)

150 ℃

工作温度(Min)

-55 ℃

耗散功率(Max)

30W (Tc)

STF11N52K3 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Not Recommended for New Designs

包装方式

Tube

长度

10.4 mm

宽度

4.6 mm

高度

16.4 mm

工作温度

-55℃ ~ 150℃ (TJ)

STF11N52K3 符合标准

STF11N52K3 概述

STF11N52K3 数据手册

STF11N52K3 产品封装文件

ST Microelectronics（意法半导体）

20 页 / 1.12 MByte

STF11N52K3 产品修订记录

ST Microelectronics（意法半导体）

34 页 / 0.79 MByte

STF11N52 数据手册

STF11N52K3 数据手册

ST Microelectronics（意法半导体）

525V,0.41Ω,10A,N沟道功率MOSFET

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