￥ 2.864

STF11NM60ND 数据手册 - ST Microelectronics（意法半导体）

制造商:

ST Microelectronics（意法半导体）

分类:

MOS管

封装:

TO-220-3

描述:

STMICROELECTRONICS STF11NM60ND 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 10 A, 600 V, 0.37 ohm, 10 V, 4 V

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

PDF文件:

STF11NM60ND 数据手册 (19 页)

封装尺寸在11 页 12 页 13 页 14 页 15 页 16 页

STF11NM60ND 数据手册 (19 页)

查看文档

或点击图片查看大图

STF11NM60ND 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Through Hole

引脚数

3 Pin

封装

TO-220-3

针脚数

3 Position

漏源极电阻

0.37 Ω

极性

N-Channel

功耗

25 W

阈值电压

4 V

漏源极电压(Vds)

600 V

上升时间

7 ns

输入电容值(Ciss)

850pF @50V(Vds)

额定功率(Max)

25 W

下降时间

9 ns

工作温度(Max)

150 ℃

工作温度(Min)

-55 ℃

耗散功率(Max)

25W (Tc)

查看数据手册 >

STF11NM60ND 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Active

包装方式

Tube

长度

10.4 mm

宽度

4.6 mm

高度

16.4 mm

工作温度

-55℃ ~ 150℃ (TJ)

查看数据手册 >

STF11NM60ND 符合标准

STF11NM60ND 概述

STF11NM60ND 数据手册

ST Microelectronics（意法半导体）

19 页 / 0.74 MByte

STF11NM60ND 产品设计图

ST Microelectronics（意法半导体）

1 页 / 0.09 MByte

STF11NM60ND 产品修订记录

ST Microelectronics（意法半导体）

34 页 / 0.79 MByte

STF11NM60 数据手册

STF11NM60ND 数据手册

ST Microelectronics（意法半导体）

STMICROELECTRONICS STF11NM60ND 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 10 A, 600 V, 0.37 ohm, 10 V, 4 V

STF11NM60N 数据手册

ST Microelectronics（意法半导体）

N沟道600 V - 0.37ヘ - 10 A - TO- 220 - TO- 220FP- I2PAK - IPAK DPAK - D2PAK第二代MDmesh⑩功率MOSFET N-channel 600 V - 0.37 ヘ - 10 A - TO-220 - TO-220FP- I2PAK - IPAK DPAK - D2PAK second generation MDmesh⑩ Power MOSFET

器件 Datasheet 文档搜索

AiEMA 数据库涵盖高达 72,405,303 个元件的数据手册，每天更新 5,000 多个 PDF 文件

关联型号

热门型号