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STF18NM60ND 数据手册 - ST Microelectronics（意法半导体）

制造商:

ST Microelectronics（意法半导体）

分类:

MOS管

封装:

TO-220-3

描述:

N 通道 FDmesh™ 功率 MOSFET，STMicroelectronics### MOSFET 晶体管，STMicroelectronics

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

STF18NM60ND 数据手册 (22 页)

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STF18NM60ND 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Through Hole

引脚数

3 Pin

封装

TO-220-3

功耗

30 W

阈值电压

4 V

漏源极电压(Vds)

600 V

上升时间

15.5 ns

输入电容值(Ciss)

1030pF @50V(Vds)

下降时间

18 ns

工作温度(Max)

150 ℃

工作温度(Min)

-55 ℃

耗散功率(Max)

30W (Tc)

STF18NM60ND 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Active

包装方式

Tube

长度

10.6 mm

宽度

4.6 mm

高度

16.4 mm

工作温度

150℃ (TJ)

STF18NM60ND 符合标准

STF18NM60ND 概述

STF18NM60ND 数据手册

STF18NM60ND 产品封装文件

ST Microelectronics（意法半导体）

22 页 / 1.38 MByte

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N 通道 FDmesh™ 功率 MOSFET，STMicroelectronics### MOSFET 晶体管，STMicroelectronics

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