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STF24N65M2 数据手册 - ST Microelectronics（意法半导体）

制造商:

ST Microelectronics（意法半导体）

分类:

MOS管

封装:

TO-220-3

描述:

N-沟道 650 V 0.23 Ω 30 W 法兰安装 MDmesh M2 功率 Mosfet - TO-220FP

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

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STF24N65M2 数据手册 (16 页)

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STF24N65M2 数据手册 (16 页)

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STF24N65M2 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Through Hole

引脚数

3 Pin

封装

TO-220-3

漏源极电阻

0.23 Ω

极性

N-CH

功耗

30 W

输入电容

1060 pF

漏源极电压(Vds)

650 V

连续漏极电流(Ids)

16A

上升时间

9.5 ns

输入电容值(Ciss)

1060pF @100V(Vds)

下降时间

25.5 ns

工作温度(Max)

150 ℃

工作温度(Min)

-55 ℃

耗散功率(Max)

30W (Tc)

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STF24N65M2 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Active

包装方式

Tube

长度

10.4 mm

工作温度

-55℃ ~ 150℃ (TJ)

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STF24N65M2 符合标准

STF24N65M2 海关信息

STF24N65M2 数据手册

ST Microelectronics（意法半导体）

16 页 / 0.84 MByte

STF24N65M2 其他数据使用手册

ST Microelectronics（意法半导体）

13 页 / 1.08 MByte

STF24N65M2 产品封装文件

ST Microelectronics（意法半导体）

20 页 / 1.15 MByte

STF24N65 数据手册

STF24N65M2 数据手册

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N-沟道 650 V 0.23 Ω 30 W 法兰安装 MDmesh M2 功率 Mosfet - TO-220FP

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