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STF26NM60N-H 数据手册 - ST Microelectronics（意法半导体）

制造商:

ST Microelectronics（意法半导体）

分类:

MOS管

封装:

TO-220-3

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

STF26NM60N-H 数据手册 (12 页)

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STF26NM60N-H 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Through Hole

引脚数

3 Pin

封装

TO-220-3

通道数

1 Channel

极性

N-CH

功耗

30W (Tc)

漏源极电压(Vds)

600 V

连续漏极电流(Ids)

20A

上升时间

25 ns

输入电容值(Ciss)

1800pF @50V(Vds)

下降时间

50 ns

工作温度(Max)

150 ℃

工作温度(Min)

-55 ℃

耗散功率(Max)

30W (Tc)

STF26NM60N-H 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Unknown

包装方式

Tube

工作温度

150℃ (TJ)

STF26NM60N-H 符合标准

STF26NM60N-H 数据手册

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