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STF6N65K3 数据手册 - ST Microelectronics（意法半导体）

制造商:

ST Microelectronics（意法半导体）

分类:

MOS管

封装:

TO-220-3

描述:

N沟道650 V， 1.1欧姆（典型值）， 5.4 SuperMESH3功率MOSFET采用TO- 220FP ，我PAKFP ， IPAK N-channel 650 V, 1.1 ohm typ., 5.4 A SuperMESH3 Power MOSFET in TO-220FP, I PAKFP, IPAK

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

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STF6N65K3 数据手册 (16 页)

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STF6N65K3 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Through Hole

引脚数

3 Pin

封装

TO-220-3

极性

N-CH

功耗

30 W

输入电容

880 pF

漏源极电压(Vds)

650 V

连续漏极电流(Ids)

5.4A

上升时间

10 ns

输入电容值(Ciss)

880pF @50V(Vds)

额定功率(Max)

30 W

下降时间

24 ns

工作温度(Max)

150 ℃

工作温度(Min)

-55 ℃

耗散功率(Max)

30W (Tc)

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STF6N65K3 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Active

包装方式

Tube

工作温度

150℃ (TJ)

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STF6N65K3 符合标准

STF6N65K3 数据手册

ST Microelectronics（意法半导体）

16 页 / 0.88 MByte

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