￥ 28.459

STGE50NC60VD 数据手册 - ST Microelectronics（意法半导体）

制造商:

ST Microelectronics（意法半导体）

分类:

IGBT晶体管

封装:

SOT-227-4

描述:

STMICROELECTRONICS STGE50NC60VD 单晶体管, IGBT, 90 A, 2.5 V, 260 W, 600 V, ISOTOP, 4 引脚

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

PDF文件:

STGE50NC60VD 数据手册 (14 页)

封装尺寸在11 页 12 页

STGE50NC60VD 数据手册 (14 页)

查看文档

或点击图片查看大图

STGE50NC60VD 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Surface Mount

引脚数

4 Pin

封装

SOT-227-4

针脚数

4 Position

极性

N-Channel

功耗

260 W

上升时间

17.0 ns

击穿电压(集电极-发射极)

600 V

输入电容值(Cies)

4.55nF @25V

额定功率(Max)

260 W

工作温度(Max)

150 ℃

工作温度(Min)

-55 ℃

耗散功率(Max)

260 W

查看数据手册 >

STGE50NC60VD 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Active

包装方式

Tube

长度

38.2 mm

宽度

24.15 mm

高度

12.2 mm

工作温度

-55℃ ~ 150℃ (TJ)

查看数据手册 >

STGE50NC60VD 符合标准

STGE50NC60VD 海关信息

STGE50NC60VD 概述

STGE50NC60VD 数据手册

ST Microelectronics（意法半导体）

14 页 / 0.52 MByte

STGE50NC60VD 其他数据使用手册

ST Microelectronics（意法半导体）

15 页 / 0.51 MByte

STGE50NC60 数据手册

STGE50NC60WD 数据手册

ST Microelectronics（意法半导体）

STMICROELECTRONICS STGE50NC60WD 单晶体管, IGBT, 100 A, 2.5 V, 260 W, 600 V, ISOTOP, 4 引脚

STGE50NC60VD 数据手册

ST Microelectronics（意法半导体）

STMICROELECTRONICS STGE50NC60VD 单晶体管, IGBT, 90 A, 2.5 V, 260 W, 600 V, ISOTOP, 4 引脚

器件 Datasheet 文档搜索

AiEMA 数据库涵盖高达 72,405,303 个元件的数据手册，每天更新 5,000 多个 PDF 文件

关联型号

热门型号