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STGE50NC60WD 数据手册 - ST Microelectronics（意法半导体）

制造商:

ST Microelectronics（意法半导体）

分类:

IGBT晶体管

封装:

SOT-227-4

描述:

STMICROELECTRONICS STGE50NC60WD 单晶体管, IGBT, 100 A, 2.5 V, 260 W, 600 V, ISOTOP, 4 引脚

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

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STGE50NC60WD 数据手册 (14 页)

封装尺寸在11 页 12 页

STGE50NC60WD 数据手册 (14 页)

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STGE50NC60WD 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Through Hole

引脚数

4 Pin

封装

SOT-227-4

针脚数

4 Position

极性

N-Channel

功耗

260 W

上升时间

17.0 ns

击穿电压(集电极-发射极)

600 V

输入电容值(Cies)

4.7nF @25V

额定功率(Max)

260 W

工作温度(Max)

150 ℃

工作温度(Min)

-55 ℃

耗散功率(Max)

260 W

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STGE50NC60WD 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Active

包装方式

Tube

长度

38.2 mm

宽度

25.5 mm

高度

12.2 mm

工作温度

-55℃ ~ 150℃ (TJ)

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STGE50NC60WD 符合标准

STGE50NC60WD 海关信息

STGE50NC60WD 概述

STGE50NC60WD 数据手册

ST Microelectronics（意法半导体）

14 页 / 0.27 MByte

STGE50NC60WD 其他数据使用手册

ST Microelectronics（意法半导体）

14 页 / 0.28 MByte

STGE50NC60WD 产品修订记录

ST Microelectronics（意法半导体）

3 页 / 0.04 MByte

STGE50NC60WD 其他参考文件

ST Microelectronics（意法半导体）

1 页 / 0.13 MByte

STGE50NC60 数据手册

STGE50NC60WD 数据手册

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